SemiQ推出1200 V第三代SiC MOSFET 可降低大功率应用中的开关损耗SemiQ推出1200 V第三代SiC MOSFET 可降低大功率应用中的开关损耗

盖世汽车讯据外媒报道，优质碳化硅（SiC）解决方案供应商SemiQ Inc宣布推出QSiC 1200V MOSFET。这是一款第三代SiC器件，可在缩小芯片尺寸的同时提高开关速度和效率。

SemiQ推出1200 V第三代SiC MOSFET 可降低大功率应用中的开关损耗SemiQ推出1200 V第三代SiC MOSFET 可降低大功率应用中的开关损耗
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图片来源：SemiQ

与QSiC的第二代SiC MOSFET相比，该器件体积缩小了20%，并且经过开发，可提高性能并降低高压应用中的开关损耗。SemiQ旨在将其应用于充电站、太阳能逆变器、工业电源和感应加热等市场。

除了具有1200 V的漏源电压（VDS）外，MOSFET还将总开关损耗降低至1646 µJ，并具有16.1 mΩ的低导通电阻（RDS,on）。它可作为裸片或四引脚TO-247 4L分立封装提供，尺寸为31.4 x 16.1 x 4.8毫米，其中包括一个可靠的体二极管和一个用于栅极驱动的驱动器源引脚。